Российско-китайская научная группа придумала технологию для создания электроники нового поколения

ДАЙДЖЕСТ:

Разработка позволит в будущем создать смартфоны, способные работать без подзарядки несколько дней.Ученые из России и Китая разработали технологию, которая станет новым шагом в создании электроники. По словам специалистов из  Дальневосточного федерального университета, речь идет об элементе магнитной памяти, разработанном на основе данных из нового направления в физике – спин-орбитроники.

В будущем магнитная память сможет заменить традиционные полупроводниковые технологии, которую сегодня используют при создании различных гаджетов, уверены разработчики. Например, разработка позволит создать смартфон, способный работать без подзарядки несколько дней и даже недель.

Также ученые уверены, что технологии на основе магнитной памяти будут эффективнее жестких магнитных дисков, твердотельной памяти и оперативной памяти.

 

checheninfo.ru