Известные фирмы-производители электронных компонентов IBM, AMD и Toshiba Corporation совместно разработали новый тип миниатюрной статической памяти SRAM, используемой в настоящее время во всех микропроцессорах. Эта новинка в виде работающего прототипа модуля памяти была анонсирована на международной конференции по электронным устройствам 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, проходившей 15-17 декабря в Сан-Франциско.
Каждая ячейка нового типа памяти основана на полевых транзисторах, выполненных по технологии fin-shaped Field Effect Transistors (FinFETs) и занимает площадь 0.128 квадратных микрометра, что в два раза меньше чем площадь, занимаемая классической ячейкой на планарных FET-транзисторах - 0.274 квадратных микрометра. Ячейки новой памяти делаются с помощью High-K/Metal Gate (HKMG) технологии, разработанной объединенной группой исследователей для создания оптимального технологического процесса производства новой памяти. За счет малых габаритов ячеек новой памяти весьма существенно снижено общее потребление энергии и габаритные размеры, встраиваемых в микропроцессоры, модулей памяти. Одновременно с этим достигнуты более высокие, по сравнению с классической SRAM памятью, тактовые частоты, что позволит увеличить пропускную способность будущих модулей.
Все эти преимущества разработанного типа памяти позволят в недалеком будущем создать более быстрые, более компактные микропроцессоры, отличающиеся низким энергопотреблением.
Компании-разработчики собираются в ближайшем времени на основе новой технологии разработать полноценные модули, выполненные по 22нм. технологическому процессу. В дальнейшем возможна разработка технологических процессов, существенно ниже 22 нм, которые сделают ячейку новой памяти еще меньше, еще быстрее и экономичней.
