ДАЙДЖЕСТ: |
Компания SanDisk во вторник анонсировала производство 256-битных 48-уровневых чипов памяти 3D NAND с трёмя битами на ячейку. Применением технологического 15-нм процесса удваивает емкость хранения данных в сопоставлении с теперешними самыми плотно упакованными модулями. Также каждый из разработчиков по-своему называет 3D NAND-флэш.
По достоверным предварительным сведениям Самсунг, ее память V-NAND использует структуру ячеек на базе технологии 3D Charge Trap Flash (CTF), благодаря чему не менее, чем вдвое превосходит по возможностям масштабирования теперешнюю планарную память NAND класса 20 нм.
Так как SanDisk и Toshiba уже давно выступают главными поставщиками флеш-модулей для Apple, новые микросхемы обязательно отыщут себя в iPhone 7.
Похожие чипы, как предполагается, будут достигать ёмкости 1 Тб, тогда как максимум для Toshiba в телефонах и планшетах составляет в настоящее время всего 64 Гб. Поставки свежей памяти планируется начать в 2016 г. Чипы SanDisk 256 Гбит X3 BiCS разработаны с прицелом на потребительские, клиентские, мобильные и индустриальные продукты.
![]() |
Лавров назвал самый важный момент в подготовке саммита Россия-США
АБХАЗИЯ. Абхазия может занять нишу доступного семейного отдыха
КРАСНОДАР. Депутаты ЗСК обсудили вопрос развития службы крови в крае
Экспорт продукции АПК из России в Казахстан в 2024 году составил почти 8 млн т
В Грозном идёт реконструкция Национального музея Чеченской Республики
Более 500 человек умерли от голода в секторе Газа с начала 2025 года
ЧЕЧНЯ. Чечня и европейская компания MAREX TECHNOLOGY обсудили сотрудничество в сфере экотехнологий