Toshiba и SanDisk представили 48-слойную 256 Гб память NAND

Компания SanDisk во вторник анонсировала производство 256-битных 48-уровневых чипов памяти 3D NAND с трёмя битами на ячейку. Применением технологического 15-нм процесса удваивает емкость хранения данных в сопоставлении с теперешними самыми плотно упакованными модулями. Также каждый из разработчиков по-своему называет 3D NAND-флэш.

По достоверным предварительным сведениям Самсунг, ее память V-NAND использует структуру ячеек на базе технологии 3D Charge Trap Flash (CTF), благодаря чему не менее, чем вдвое превосходит по возможностям масштабирования теперешнюю планарную память NAND класса 20 нм.

Так как SanDisk и Toshiba уже давно выступают главными поставщиками флеш-модулей для Apple, новые микросхемы обязательно отыщут себя в iPhone 7.

Похожие чипы, как предполагается, будут достигать ёмкости 1 Тб, тогда как максимум для Toshiba в телефонах и планшетах составляет в настоящее время всего 64 Гб. Поставки свежей памяти планируется начать в 2016 г. Чипы SanDisk 256 Гбит X3 BiCS разработаны с прицелом на потребительские, клиентские, мобильные и индустриальные продукты.

checheninfo.ru