В нынешнее время лучшие образцы кремниевых микросхем памяти, обеспечивающих плотность записи от 10 до 100 Гб на квадратный дюйм, используемых повсеместно в USB-памяти, картах памяти, мобильных телефонах, имеют срок службы и гарантируют сохранность данных в течении 10-30 лет. Повсеместный прогресс в областях вычислительной техники, мобильных технологий требует появления на свет устройств, обеспечивающих более высокую плотность записи, чем имеющиеся.
Группа ученых сообщает об открытии новой технологии, на основе которой можно будет изготовить быстродействующую память с потрясающей плотностью хранения информации, и сроком хранения информации около миллиона лет. Следует отметить, что все ныне имеющиеся технологии памяти, с подобной плотностью хранения информации, могут обеспечить сохранность данных только в течении долей секунды.
Одна ячейка памяти нового типа представляет собой углеродную нанотрубку с помещенной внутрь ее наночастицей железа. Эта наночастица имеет размер в 1/50000 от толщины человеческого волоса. Прикладывая различные электрические потенциалы к нанотрубке можно заставить наночастицу совершать возвратно-поступательные движения с большой точностью. Такая система и представляет собой запоминающую среду, подобную ячейке кремниевой микросхемы памяти. Положение железной наночастицы в нанотрубке является собственно информационными данными и может быть считано при помощи специальной методики.
При проведении теоретических и лабораторных исследований, ученые рассчитали, что плотность записи при использовании новой технологии может составлять 1 Тб на квадратный дюйм, и срок хранения информации практически не ограничен.
